CSD18563Q5A MOSFET 60V N-Channel NexFET Power MOSFET
♠ وصف المنتج
| سمة المنتج | قيمة السمة |
| الصانع: | شركة Texas Instruments |
| فئة المنتج: | موسفيت |
| بنفايات: | تفاصيل |
| تكنولوجيا: | Si |
| أسلوب التركيب: | SMD / SMT |
| الحزمة / الحالة: | VSONP-8 |
| قطبية الترانزستور: | قناة N |
| عدد القنوات: | 1 قناة |
| Vds - جهد انهيار مصدر الصرف: | 60 فولت |
| المعرف - تيار التصريف المستمر: | 100 أ |
| Rds On - مقاومة مصدر الصرف: | 6.8 مللي أوم |
| Vgs - جهد مصدر البوابة: | - 20 فولت ، +20 فولت |
| Vgs - جهد عتبة مصدر البوابة: | 1.7 فولت |
| Qg - رسوم البوابة: | 15 ن |
| درجة حرارة التشغيل الدنيا: | - 55 ج |
| أقصى درجة حرارة للتشغيل: | + 150 درجة مئوية |
| PD - تبديد الطاقة: | 116 وات |
| وضع القناة: | التعزيز |
| اسم تجاري: | NexFET |
| التعبئة والتغليف: | بكرة |
| التعبئة والتغليف: | قص الشريط |
| التعبئة والتغليف: | MouseReel |
| ماركة: | شركة Texas Instruments |
| إعدادات: | أعزب |
| وقت السقوط: | 1.7 نانو ثانية |
| ارتفاع: | 1 ملم |
| طول: | 5.75 ملم |
| منتج: | وحدات ترشيد الطاقة |
| نوع المنتج: | موسفيت |
| وقت الشروق: | 6.3 نانوثانية |
| مسلسل: | CSD18563Q5A |
| كمية حزمة المصنع: | 2500 |
| تصنيف فرعي: | الترانزستورات |
| نوع الترانزستور: | 1 N-Channel Power MOSFET |
| يكتب: | 60 فولت N-Channel NexFET Power MOSFETs |
| وقت تأخير إيقاف التشغيل النموذجي: | 11.4 نانوثانية |
| وقت تأخير التشغيل المعتاد: | 3.2 نانوثانية |
| عرض: | 4.9 ملم |
| وحدة الوزن: | 0.003034 أوقية |
♠ CSD18563Q5A 60 فولت N-Channel NexFET ™ Power MOSFET
تم تصميم MOSFET مقاس 5.7 متر مكعب و 60 فولت من NexFET ™ بقوة 5 مم × 6 مم للاقتران مع جهاز التحكم FET CSD18537NQ5A ويكون بمثابة FET المتزامن لحل شرائح محول باك الصناعي الكامل.
• Qgd و Qgd منخفضة للغاية
• صمام ثنائي للجسم ناعم لتقليل الرنين
• مقاومة حرارية منخفضة
• تصنيف الانهيار الجليدي
• المستوى المنطقي
• طلاء طرفي خال من الرصاص
• متوافق مع RoHS
• خال من الهالوجين
• عبوة بلاستيك سون 5 مم × 6 مم
• Low-Side FET for Industrial Buck Converter
• المعدل الثانوي المتزامن الجانبي
• التحكم في المحركات
