NTMFS5C628NLT1G MOSFET TRENCH 6 60V NFET
♠ وصف المنتج
| سمة المنتج | قيمة السمة |
| الصانع: | أنسمي |
| فئة المنتج: | موسفيت |
| تكنولوجيا: | Si |
| أسلوب التركيب: | SMD / SMT |
| الحزمة / الحالة: | SO-8FL-4 |
| قطبية الترانزستور: | قناة N |
| عدد القنوات: | 1 قناة |
| Vds - جهد انهيار مصدر الصرف: | 60 فولت |
| المعرف - تيار التصريف المستمر: | 150 أ |
| Rds On - مقاومة مصدر الصرف: | 2.4 مللي أوم |
| Vgs - جهد مصدر البوابة: | - 20 فولت ، +20 فولت |
| Vgs - جهد عتبة مصدر البوابة: | 1.2 فولت |
| Qg - رسوم البوابة: | 52 ن |
| درجة حرارة التشغيل الدنيا: | - 55 ج |
| أقصى درجة حرارة للتشغيل: | + 175 ج |
| PD - تبديد الطاقة: | 3.7 واط |
| وضع القناة: | التعزيز |
| التعبئة والتغليف: | بكرة |
| التعبئة والتغليف: | قص الشريط |
| التعبئة والتغليف: | MouseReel |
| ماركة: | أنسمي |
| إعدادات: | أعزب |
| وقت السقوط: | 70 نانوثانية |
| ناقل الحركة الأمامي - الحد الأدنى: | 110 ج |
| نوع المنتج: | موسفيت |
| وقت الشروق: | 150 نانوثانية |
| كمية حزمة المصنع: | 1500 |
| تصنيف فرعي: | الترانزستورات |
| نوع الترانزستور: | 1 قناة N |
| وقت تأخير إيقاف التشغيل النموذجي: | 28 نانوثانية |
| وقت تأخير التشغيل المعتاد: | 15 نانوثانية |
| وحدة الوزن: | 0.006173 أوقية |
• حجم صغير (5 × 6 مم) لتصميم مضغوط
• Low RDS (on) لتقليل خسائر التوصيل
• انخفاض QG والسعة لتقليل خسائر السائقين
• هذه الأجهزة خالية من الرصاص ومتوافقة مع RoHS
