VNS1NV04DPTR-E بوابات السائقين OMNIFET POWER MOSFET 40V 1.7 A
♠ وصف المنتج
| سمة المنتج | قيمة السمة |
| الصانع: | STMicroelectronics |
| فئة المنتج: | سائقي البوابة |
| منتج: | السائقين بوابة MOSFET |
| يكتب: | جانب منخفض |
| أسلوب التركيب: | SMD / SMT |
| الحزمة / الحالة: | SOIC-8 |
| عدد السائقين: | 2 سائق |
| عدد المخرجات: | 2 الإخراج |
| التيار الخارج: | 1.7 أ |
| امدادات التيار الكهربائي - الحد الأقصى: | 24 فولت |
| وقت الشروق: | 500 نانوثانية |
| وقت السقوط: | 600 نانوثانية |
| درجة حرارة التشغيل الدنيا: | - 40 ج |
| أقصى درجة حرارة للتشغيل: | + 150 درجة مئوية |
| مسلسل: | VNS1NV04DP-E |
| مؤهل: | AEC-Q100 |
| التعبئة والتغليف: | بكرة |
| التعبئة والتغليف: | قص الشريط |
| التعبئة والتغليف: | MouseReel |
| ماركة: | STMicroelectronics |
| حساس للرطوبة: | نعم |
| تيار العرض التشغيلي: | 150 ش |
| نوع المنتج: | سائقي البوابة |
| كمية حزمة المصنع: | 2500 |
| تصنيف فرعي: | PMIC - المرحلية لإدارة الطاقة |
| تكنولوجيا: | Si |
| وحدة الوزن: | 0.005291 أوقية |
♠ OMNIFET II محمي تلقائيًا Power MOSFET
VNS1NV04DP-E عبارة عن جهاز مكون من شريحتين متجانستين OMNIFET II موجودة في حزمة SO-8 قياسية.تم تصميم OMNIFET II بتقنية STMicroelectronics VIPower ™ M0-3: وهي مصممة لاستبدال وحدات الطاقة MOSFET القياسية من تطبيقات التيار المستمر حتى 50 كيلو هرتز.المدمج في الاغلاق الحراري ، والحد من التيار الخطي ومشبك الجهد الزائد يحمي الرقاقة في البيئات القاسية.
يمكن الكشف عن التغذية المرتدة للخطأ من خلال مراقبة الجهد عند طرف الإدخال.
• حدود التيار الخطي
• الاغلاق الحراري
• حماية ماس كهربائى
• مشبك متكامل
• سحب تيار منخفض من دبوس الإدخال
• ردود الفعل التشخيصية من خلال دبوس الإدخال
• حماية البيئة والتنمية المستدامة
• الوصول المباشر إلى بوابة power mosfet (القيادة التناظرية)
• متوافق مع معيار الطاقة mosfet
• امتثالا للتوجيه الأوروبي 2002/95 / EC
