SI1029X-T1-GE3 MOSFET 60V Vds 20V Vgs SC89-6 N&P زوج
♠ وصف المنتج
| سمة المنتج | قيمة السمة |
| الصانع: | فيشاي |
| فئة المنتج: | موسفيت |
| بنفايات: | تفاصيل |
| تكنولوجيا: | Si |
| أسلوب التركيب: | SMD / SMT |
| الحزمة / الحالة: | SC-89-6 |
| قطبية الترانزستور: | قناة N ، قناة ف |
| عدد القنوات: | 2 قناة |
| Vds - جهد انهيار مصدر الصرف: | 60 فولت |
| المعرف - تيار التصريف المستمر: | 500 مللي أمبير |
| Rds On - مقاومة مصدر الصرف: | 1.4 أوم ، 4 أوم |
| Vgs - جهد مصدر البوابة: | - 20 فولت ، +20 فولت |
| Vgs - جهد عتبة مصدر البوابة: | 1 فولت |
| Qg - رسوم البوابة: | 750 قطعة ، 1.7 درجة مئوية |
| درجة حرارة التشغيل الدنيا: | - 55 ج |
| أقصى درجة حرارة للتشغيل: | + 150 درجة مئوية |
| PD - تبديد الطاقة: | 280 ميغاواط |
| وضع القناة: | التعزيز |
| اسم تجاري: | ترينشفيت |
| التعبئة والتغليف: | بكرة |
| التعبئة والتغليف: | قص الشريط |
| التعبئة والتغليف: | MouseReel |
| ماركة: | فيشاي أشباه الموصلات |
| إعدادات: | مزدوج |
| ناقل الحركة الأمامي - الحد الأدنى: | 200 مللي ثانية ، 100 مللي ثانية |
| ارتفاع: | 0.6 ملم |
| طول: | 1.66 ملم |
| نوع المنتج: | موسفيت |
| مسلسل: | SI1 |
| كمية حزمة المصنع: | 3000 |
| تصنيف فرعي: | الترانزستورات |
| نوع الترانزستور: | 1 قناة N ، 1 قناة ف |
| وقت تأخير إيقاف التشغيل النموذجي: | 20 نانوثانية ، 35 نانوثانية |
| وقت تأخير التشغيل المعتاد: | 15 نانوثانية ، 20 نانوثانية |
| عرض: | 1.2 ملم |
| الجزء # الأسماء المستعارة: | SI1029X-GE3 |
| وحدة الوزن: | 32 مجم |
• خالٍ من الهالوجين وفقًا لتعريف IEC 61249-2-21
• TrenchFET® Power MOSFETs
• بصمة صغيرة جدا
• تحويل الجانب العلوي
• مقاومة منخفضة:
قناة N ، 1.40 Ω
قناة ف ، 4 Ω
• عتبة منخفضة: ± 2 فولت (نوع)
• سرعة التحويل السريع: 15 نانوثانية (نوع)
• حماية البيئة والتنمية المستدامة من مصدر البوابة: 2000 فولت
• متوافق مع توجيه RoHS 2002/95 / EC
• استبدال الترانزستور الرقمي ، المستوى شيفتر
• أنظمة تعمل بالبطاريات
• دوائر محول التيار الكهربائي
