MGSF1N03LT1G MOSFET 30V 2.1A N- قناة
♠ وصف المنتج
| سمة المنتج | قيمة السمة |
| الصانع: | أنسمي |
| فئة المنتج: | موسفيت |
| تكنولوجيا: | Si |
| أسلوب التركيب: | SMD / SMT |
| الحزمة / الحالة: | سوت 23-3 |
| قطبية الترانزستور: | قناة N |
| عدد القنوات: | 1 قناة |
| Vds - جهد انهيار مصدر الصرف: | 30 فولت |
| المعرف - تيار التصريف المستمر: | 2.1 أ |
| Rds On - مقاومة مصدر الصرف: | 100 مللي أوم |
| Vgs - جهد مصدر البوابة: | - 20 فولت ، +20 فولت |
| Vgs - جهد عتبة مصدر البوابة: | 1 فولت |
| Qg - رسوم البوابة: | 6 إن سي |
| درجة حرارة التشغيل الدنيا: | - 55 ج |
| أقصى درجة حرارة للتشغيل: | + 150 درجة مئوية |
| PD - تبديد الطاقة: | 690 ميغاواط |
| وضع القناة: | التعزيز |
| التعبئة والتغليف: | بكرة |
| التعبئة والتغليف: | قص الشريط |
| التعبئة والتغليف: | MouseReel |
| ماركة: | أنسمي |
| إعدادات: | أعزب |
| وقت السقوط: | 8 نانوثانية |
| ارتفاع: | 0.94 ملم |
| طول: | 2.9 ملم |
| منتج: | إشارة MOSFET الصغيرة |
| نوع المنتج: | موسفيت |
| وقت الشروق: | 1 نانوثانية |
| مسلسل: | MGSF1N03L |
| كمية حزمة المصنع: | 3000 |
| تصنيف فرعي: | الترانزستورات |
| نوع الترانزستور: | 1 قناة N |
| يكتب: | موسفيت |
| وقت تأخير إيقاف التشغيل النموذجي: | 16 نانوثانية |
| وقت تأخير التشغيل المعتاد: | 2.5 نانوثانية |
| عرض: | 1.3 ملم |
| وحدة الوزن: | 0.000282 أوقية |
♠ MOSFET - مفرد ، قناة N ، SOT-23 30 فولت ، 2.1 أمبير
تضمن وحدات MOSFETs ذات السطح المصغر منخفضة RDS (تشغيل) الحد الأدنى من فقدان الطاقة والحفاظ على الطاقة ، مما يجعل هذه الأجهزة مثالية للاستخدام في دوائر إدارة الطاقة الحساسة للمساحة.التطبيقات النموذجية هي محولات التيار المستمر وإدارة الطاقة في المنتجات المحمولة والتي تعمل بالبطاريات مثل أجهزة الكمبيوتر والطابعات وبطاقات PCMCIA والهواتف الخلوية واللاسلكية.
• انخفاض RDS (تشغيل) يوفر كفاءة أعلى ويطيل عمر البطارية
• مصغر SOT − 23 حزمة تثبيت سطحي توفر مساحة اللوحة
• بادئة MV لتطبيقات السيارات والتطبيقات الأخرى التي تتطلب متطلبات فريدة لتغيير الموقع والتحكم ؛AEC − Q101 مؤهل وقادر على PPAP
• هذه الأجهزة خالية من الرصاص ومتوافقة مع RoHS
