DMN2400UV-7 MOSFET MOSFET ، قناة N
♠ وصف المنتج
| سمة المنتج | قيمة السمة |
| الصانع: | الثنائيات إنكوربوريتد |
| فئة المنتج: | موسفيت |
| تكنولوجيا: | Si |
| أسلوب التركيب: | SMD / SMT |
| الحزمة / الحالة: | SOT-563-6 |
| قطبية الترانزستور: | قناة N |
| عدد القنوات: | 2 قناة |
| Vds - جهد انهيار مصدر الصرف: | 20 فولت |
| المعرف - تيار التصريف المستمر: | 1.33 أ |
| Rds On - مقاومة مصدر الصرف: | 480 مللي أوم |
| Vgs - جهد مصدر البوابة: | - 12 فولت ، + 12 فولت |
| Vgs - جهد عتبة مصدر البوابة: | 500 مللي فولت |
| Qg - رسوم البوابة: | 500 قطعة |
| درجة حرارة التشغيل الدنيا: | - 55 ج |
| أقصى درجة حرارة للتشغيل: | + 150 درجة مئوية |
| PD - تبديد الطاقة: | 530 ميغاواط |
| وضع القناة: | التعزيز |
| التعبئة والتغليف: | بكرة |
| التعبئة والتغليف: | قص الشريط |
| التعبئة والتغليف: | MouseReel |
| ماركة: | الثنائيات إنكوربوريتد |
| إعدادات: | مزدوج |
| وقت السقوط: | 10.54 نانوثانية |
| منتج: | إشارة MOSFET الصغيرة |
| نوع المنتج: | موسفيت |
| وقت الشروق: | 7.28 نانوثانية |
| مسلسل: | DMN2400 |
| كمية حزمة المصنع: | 3000 |
| تصنيف فرعي: | الترانزستورات |
| نوع الترانزستور: | 2 قناة N |
| وقت تأخير إيقاف التشغيل النموذجي: | 13.74 نانوثانية |
| وقت تأخير التشغيل المعتاد: | 4.06 نانوثانية |
| وحدة الوزن: | 0.000212 أوقية |
· قناة P + N التكميلية
وضع التحسين
· مستوى سوبر لوجيك (2.5 فولت مقدر)
· الصرف المشترك
· تصنيف الانهيار الجليدي
· درجة حرارة تشغيل 175 درجة مئوية
· مؤهل وفقًا لـ AEC Q101
· خالٍ من الرصاص بنسبة 100٪ ؛متوافق مع RoHS
· خالٍ من الهالوجين وفقًا للمواصفة IEC61246-21
