DG441DY-T1-E3 دوائر متكاملة للمفاتيح التناظرية، مفتاح تناظري رباعي SPST
♠ وصف المنتج
| سمة المنتج | قيمة السمة |
| الشركة المصنعة: | فيشاي |
| فئة المنتج: | دوائر متكاملة للتبديل التناظري |
| RoHS: | تفاصيل |
| أسلوب التركيب: | SMD/SMT |
| الحزمة/الحالة: | SOIC-16 |
| عدد القنوات: | 4 قنوات |
| إعدادات: | 4 × SPST |
| حول المقاومة - الحد الأقصى: | 85 أوم |
| جهد الإمداد - الحد الأدنى: | 13 فولت |
| جهد الإمداد - الحد الأقصى: | 36 فولت |
| الحد الأدنى لجهد الإمداد المزدوج: | +/- 15 فولت |
| أقصى جهد إمداد مزدوج: | +/- 15 فولت |
| في الوقت المحدد - الحد الأقصى: | 250 نانوثانية |
| وقت الإيقاف - الحد الأقصى: | 120 نانوثانية |
| أدنى درجة حرارة تشغيل: | - 40 درجة مئوية |
| أقصى درجة حرارة تشغيل: | + 85 درجة مئوية |
| مسلسل: | DG |
| التغليف: | بكرة |
| التغليف: | قص الشريط |
| التغليف: | ماوس ريل |
| ماركة: | فيشاي / سيليكونيكس |
| ارتفاع: | 1.55 ملم |
| طول: | 10 ملم |
| Pd - تبديد الطاقة: | 900 ميغاواط |
| نوع المنتج: | دوائر متكاملة للتبديل التناظري |
| كمية عبوة المصنع: | 2500 |
| الفئة الفرعية: | دوائر متكاملة للتبديل |
| التيار الكهربائي - الحد الأقصى: | 100 ميكرو أمبير |
| نوع العرض: | مصدر واحد، مصدر مزدوج |
| تبديل التيار المستمر: | 30 مللي أمبير |
| عرض: | 4 ملم |
| الجزء رقم # الأسماء المستعارة: | DG441DY-E3 |
| وزن الوحدة: | 666 ملغ |
♠ مفاتيح تناظرية رباعية SPST CMOS
صُممت مفاتيح DG441 وDG442 الرباعية التناظرية أحادية الوحدة لتوفير تبديل عالي السرعة ومنخفض الأخطاء للإشارات التناظرية والصوتية. يتميز DG441 بوظيفة الإغلاق الطبيعي، بينما يتميز DG442 بوظيفة الفتح الطبيعي. بفضل الجمع بين مقاومة تشغيل منخفضة (50 أوم، نموذجية) وسرعة عالية (tON 150 نانوثانية، نموذجية)، يُعدّ DG441 وDG442 مثاليين لترقية مقابس DG201A/202. وقد تم تقليل حقن الشحنة في المصرف للاستخدام في دوائر أخذ العينات والتثبيت.
لتحقيق تصنيفات الجهد العالي وأداء التحويل المتفوق، تم بناء DG441 وDG442 على عملية بوابة السيليكون ذات الجهد العالي من Vishay Siliconix. تمنع الطبقة الظهارية الالتصاق.
يؤدي كل مفتاح عملًا جيدًا بنفس القدر في كلا الاتجاهين عند تشغيله، ويمنع جهد الإدخال من مستويات الإمداد عند إيقاف تشغيله.
• خالٍ من الهالوجين وفقًا لتعريف IEC 61249-2-21
• مقاومة منخفضة: 50 أوم
• تسرب منخفض: 80 بيكو أمبير
• استهلاك منخفض للطاقة: 0.2 ميغاواط
• إجراء تحويل سريع - tON: 150 نانوثانية
• حقن شحنة منخفضة – Q: – 1 بيكو كولوم
• ترقيات DG201A/DG202
• منطق متوافق مع TTL/CMOS
• إمكانية الإمداد الفردية
• متوافق مع توجيه RoHS 2002/95/EC
• تبديل الصوت
• أنظمة تعمل بالبطارية
• الحصول على البيانات
• أنظمة Hi-Rel
• دوائر أخذ العينات والاحتفاظ
• أنظمة الاتصالات
• معدات الاختبار التلقائية
• الأدوات الطبية
