DG419DY-T1-E3 التبديل التناظري ICs أحادي SPDT 22 / 25V
♠ وصف المنتج
| سمة المنتج | قيمة السمة |
| الصانع: | فيشاي |
| فئة المنتج: | التبديل التناظري المرحلية |
| أسلوب التركيب: | SMD / SMT |
| الحزمة / الحالة: | SOIC-8 |
| عدد القنوات: | 1 قناة |
| إعدادات: | 1 × SPDT |
| على المقاومة - الحد الأقصى: | 35 أوم |
| جهد العرض - الحد الأدنى: | 13 فولت |
| امدادات التيار الكهربائي - الحد الأقصى: | 44 فولت |
| الحد الأدنى من جهد العرض المزدوج: | +/- 15 فولت |
| أقصى جهد إمداد مزدوج: | +/- 15 فولت |
| في الوقت المحدد - الحد الأقصى: | 175 نانوثانية |
| وقت الإيقاف - الحد الأقصى: | 145 نانوثانية |
| درجة حرارة التشغيل الدنيا: | - 40 ج |
| أقصى درجة حرارة للتشغيل: | + 85 ج |
| مسلسل: | DG |
| التعبئة والتغليف: | بكرة |
| التعبئة والتغليف: | قص الشريط |
| التعبئة والتغليف: | MouseReel |
| ماركة: | فيشاي / سيليكونيكس |
| ارتفاع: | 1.55 ملم |
| طول: | 5 ملم |
| PD - تبديد الطاقة: | 400 ميغاواط |
| نوع المنتج: | التبديل التناظري المرحلية |
| كمية حزمة المصنع: | 2500 |
| تصنيف فرعي: | تبديل المرحلية |
| العرض الحالي - الحد الأقصى: | 1 uA |
| نوع العرض: | التوريد الفردي ، التوريد المزدوج |
| تبديل التيار المستمر: | 30 مللي أمبير |
| عرض: | 4 ملم |
| الجزء # الأسماء المستعارة: | DG419DY-E3 |
| وحدة الوزن: | 0.019048 أوقية |
♠ مفاتيح الدقة CMOS التناظرية
تم تصميم المفاتيح التناظرية DG417 و DG418 و DG419 الأحادية CMOS لتوفير تبديل عالي الأداء للإشارات التناظرية.تجمع سلسلة DG417 بين الطاقة المنخفضة والتسربات المنخفضة والسرعة العالية والمقاومة المنخفضة والحجم المادي الصغير ، وهي مناسبة بشكل مثالي للتطبيقات الصناعية والعسكرية المحمولة والتي تعمل بالبطارية والتي تتطلب أداءً عاليًا واستخدامًا فعالًا لمساحة اللوحة.
لتحقيق معدلات الجهد العالي وأداء التحويل الفائق ، تم بناء سلسلة DG417 على عملية بوابة السيليكون عالية الجهد (HVSG) من Vishay Siliconix.Break-Beforeemake مضمون لـ DG419 ، وهو تكوين SPDT.طبقة فوقية تمنع الالتحام.
يعمل كل مفتاح بشكل جيد في كلا الاتجاهين عند التشغيل ، ويمنع مستوى مصدر الطاقة عند إيقاف التشغيل.
يستجيب DG417 و DG418 لمستويات منطق التحكم المعاكسة كما هو موضح في جدول الحقيقة.
• ± 15 V نطاق إشارة تناظرية
• عند المقاومة - RDS (تشغيل): 20 أوم
• إجراء التبديل السريع - tON: 100 نانوثانية
• متطلبات الطاقة المنخفضة للغاية - PD: 35 nW
• متوافق مع TTL و CMOS
• تغليف MiniDIP و SOIC
• العرض 44 فولت كحد أقصى.تقييم
• العرض 44 فولت كحد أقصى.تقييم
• متوافق مع توجيه RoHS 2002/95 / EC
• مجال حركي واسع
• انخفاض أخطاء الإشارة والتشويه
• استراحة قبل إجراء التبديل
• التواصل البسيط
• مساحة مخفضة للوحة
• موثوقية محسنة
• معدات اختبار الدقة
• أجهزة دقيقة
• أنظمة تعمل بالبطاريات
• دارات العينة والاحتفاظ
• الإذاعات العسكرية
• أنظمة التوجيه والتحكم
• محركات الأقراص الصلبة
