AUIRFN8459TR MOSFET 40V Dual N Channel HEXFET
♠ وصف المنتج
| سمة المنتج | قيمة السمة |
| الصانع: | إنفينيون |
| فئة المنتج: | موسفيت |
| بنفايات: | تفاصيل |
| تكنولوجيا: | Si |
| أسلوب التركيب: | SMD / SMT |
| الحزمة / الحالة: | PQFN-8 |
| قطبية الترانزستور: | قناة N |
| عدد القنوات: | 2 قناة |
| Vds - جهد انهيار مصدر الصرف: | 40 فولت |
| المعرف - تيار التصريف المستمر: | 70 أ |
| Rds On - مقاومة مصدر الصرف: | 5.9 مللي أوم |
| Vgs - جهد مصدر البوابة: | - 20 فولت ، +20 فولت |
| Vgs - جهد عتبة مصدر البوابة: | 3 فولت |
| Qg - رسوم البوابة: | 40 ن |
| درجة حرارة التشغيل الدنيا: | - 55 ج |
| أقصى درجة حرارة للتشغيل: | + 175 ج |
| PD - تبديد الطاقة: | 50 واط |
| وضع القناة: | التعزيز |
| مؤهل: | AEC-Q101 |
| التعبئة والتغليف: | بكرة |
| التعبئة والتغليف: | قص الشريط |
| التعبئة والتغليف: | MouseReel |
| ماركة: | إنفينيون تكنولوجيز |
| إعدادات: | مزدوج |
| وقت السقوط: | 42 نانوثانية |
| ناقل الحركة الأمامي - الحد الأدنى: | 66 إس |
| ارتفاع: | 1.2 ملم |
| طول: | 6 ملم |
| نوع المنتج: | موسفيت |
| وقت الشروق: | 55 نانوثانية |
| كمية حزمة المصنع: | 4000 |
| تصنيف فرعي: | الترانزستورات |
| نوع الترانزستور: | 2 قناة N |
| وقت تأخير إيقاف التشغيل النموذجي: | 25 نانوثانية |
| وقت تأخير التشغيل المعتاد: | 10 نانوثانية |
| عرض: | 5 ملم |
| الجزء # الأسماء المستعارة: | AUIRFN8459TR SP001517406 |
| وحدة الوزن: | 0.004308 أوقية |
♠ MOSFET 40V Dual N Channel HEXFET
مصممة خصيصًا لتطبيقات السيارات ، تستخدم HEXFET® Power MOSFET أحدث تقنيات المعالجة لتحقيق مقاومة منخفضة للغاية لكل منطقة من السيليكون.الميزات الإضافية لهذا التصميم هي درجة حرارة تشغيل تقاطع 175 درجة مئوية ، وسرعة تحويل سريعة وتحسين معدل الانهيار المتكرر.تتحد هذه الميزات لجعل هذا المنتج جهازًا فعالاً وموثوقًا للغاية للاستخدام في السيارات ومجموعة متنوعة من التطبيقات الأخرى.
تقنية العمليات المتقدمة
Dual N-Channel MOSFET
منخفضة للغاية على المقاومة
175 درجة مئوية درجة حرارة التشغيل
التبديل السريع
سمح الانهيار المتكرر حتى Tjmax
خالية من الرصاص ومتوافقة مع RoHS
مؤهل السيارات *
12V أنظمة السيارات
نحى محرك DC
الكبح
ناقل الحركة
