NDS331N MOSFET N-Ch LL FET وضع التحسين
♠ وصف المنتج
| سمة المنتج | قيمة السمة |
| الصانع: | أنسمي |
| فئة المنتج: | موسفيت |
| تكنولوجيا: | Si |
| أسلوب التركيب: | SMD / SMT |
| الحزمة / الحالة: | سوت 23-3 |
| قطبية الترانزستور: | قناة N |
| عدد القنوات: | 1 قناة |
| Vds - جهد انهيار مصدر الصرف: | 20 فولت |
| المعرف - تيار التصريف المستمر: | 1.3 أ |
| Rds On - مقاومة مصدر الصرف: | 210 مللي أوم |
| Vgs - جهد مصدر البوابة: | - 8 فولت ، +8 فولت |
| Vgs - جهد عتبة مصدر البوابة: | 500 مللي فولت |
| Qg - رسوم البوابة: | 5 إن سي |
| درجة حرارة التشغيل الدنيا: | - 55 ج |
| أقصى درجة حرارة للتشغيل: | + 150 درجة مئوية |
| PD - تبديد الطاقة: | 500 ميغاواط |
| وضع القناة: | التعزيز |
| التعبئة والتغليف: | بكرة |
| التعبئة والتغليف: | قص الشريط |
| التعبئة والتغليف: | MouseReel |
| ماركة: | أنسيمي / فيرتشايلد |
| إعدادات: | أعزب |
| وقت السقوط: | 25 نانوثانية |
| ارتفاع: | 1.12 ملم |
| طول: | 2.9 ملم |
| منتج: | إشارة MOSFET الصغيرة |
| نوع المنتج: | موسفيت |
| وقت الشروق: | 25 نانوثانية |
| مسلسل: | NDS331N |
| كمية حزمة المصنع: | 3000 |
| تصنيف فرعي: | الترانزستورات |
| نوع الترانزستور: | 1 قناة N |
| يكتب: | موسفيت |
| وقت تأخير إيقاف التشغيل النموذجي: | 10 نانوثانية |
| وقت تأخير التشغيل المعتاد: | 5 نانوثانية |
| عرض: | 1.4 ملم |
| الجزء # الأسماء المستعارة: | NDS331N_NL |
| وحدة الوزن: | 0.001129 أوقية |
♠ N- قناة مستوى المنطق تحسين وضع المجال تأثير الترانزستور
يتم إنتاج ترانزستورات تأثير مجال الطاقة ذات تأثير المجال المنطقي N − Channel باستخدام تقنية DMOS ذات الكثافة العالية للخلية والمملوكة لشركة ON Semiconductor.تم تصميم هذه العملية عالية الكثافة بشكل خاص لتقليل مقاومة الحالة.هذه الأجهزة مناسبة بشكل خاص للتطبيقات ذات الجهد المنخفض في أجهزة الكمبيوتر المحمولة ، والهواتف المحمولة ، وبطاقات PCMCIA ، والدوائر الأخرى التي تعمل بالبطاريات حيث يلزم التبديل السريع ، وفقدان الطاقة المنخفض في الخط في حزمة صغيرة جدًا لتثبيت السطح.
• 1.3 أمبير ، 20 فولت
♦ RDS (on) = 0.21 @ VGS = 2.7 فولت
♦ RDS (تشغيل) = 0.16 @ VGS = 4.5 فولت
• معيار الصناعة المخطط التفصيلي SOT − 23 باستخدام حزمة تثبيت السطح
تصميم SUPERSOT − 3 الخاص بقدرات حرارية وكهربائية فائقة
• تصميم خلية عالية الكثافة لـ RDS منخفضة للغاية (تشغيل)
• مقاومة استثنائية وأقصى قدرة تيار مستمر
• هذا جهاز خال من الرصاص
