وضع تعزيز NDS331N MOSFET N-Ch LL FET
♠ وصف المنتج
| سمة المنتج | قيمة السمة |
| الشركة المصنعة: | أونسيمي |
| فئة المنتج: | موسفت |
| تكنولوجيا: | Si |
| أسلوب التركيب: | SMD/SMT |
| الحزمة / الحالة: | سوت-23-3 |
| قطبية الترانزستور: | قناة N |
| عدد القنوات: | قناة واحدة |
| Vds - جهد انهيار مصدر الصرف: | 20 فولت |
| معرف - تيار التصريف المستمر: | 1.3 أ |
| Rds On - مقاومة مصدر التصريف: | 210 مللي أوم |
| Vgs - جهد البوابة والمصدر: | - 8 فولت، + 8 فولت |
| Vgs th - جهد عتبة البوابة والمصدر: | 500 مللي فولت |
| Qg - شحنة البوابة: | 5 نانو سي |
| أدنى درجة حرارة تشغيل: | - 55 درجة مئوية |
| أقصى درجة حرارة تشغيل: | + 150 درجة مئوية |
| Pd - تبديد الطاقة: | 500 ميغاواط |
| وضع القناة: | تحسين |
| التغليف: | بكرة |
| التغليف: | قص الشريط |
| التغليف: | ماوس ريل |
| ماركة: | أونسيمي / فيرتشايلد |
| إعدادات: | أعزب |
| وقت الخريف: | 25 نانوثانية |
| ارتفاع: | 1.12 ملم |
| طول: | 2.9 ملم |
| منتج: | إشارة MOSFET الصغيرة |
| نوع المنتج: | موسفت |
| وقت الاستيقاظ: | 25 نانوثانية |
| مسلسل: | NDS331N |
| كمية عبوة المصنع: | 3000 |
| الفئة الفرعية: | ترانزستورات MOSFET |
| نوع الترانزستور: | 1 قناة N |
| يكتب: | موسفت |
| متوسط وقت تأخير إيقاف التشغيل: | 10 نانوثانية |
| متوسط وقت تأخير التشغيل: | 5 نانوثانية |
| عرض: | 1.4 ملم |
| الجزء رقم # الأسماء المستعارة: | NDS331N_NL |
| وزن الوحدة: | 0.001129 أونصة |
♠ ترانزستور تأثير المجال بوضع تعزيز مستوى المنطق للقناة N
تُصنع ترانزستورات تأثير مجال القدرة ذات وضع تعزيز مستوى المنطق N-Channel باستخدام تقنية DMOS عالية الكثافة الخلوية، المملوكة لشركة ON Semiconductor. صُممت هذه العملية عالية الكثافة خصيصًا لتقليل مقاومة حالة التشغيل. تُناسب هذه الأجهزة بشكل خاص تطبيقات الجهد المنخفض في أجهزة الكمبيوتر المحمولة، والهواتف المحمولة، وبطاقات PCMCIA، وغيرها من الدوائر التي تعمل بالبطاريات، حيث يلزم التبديل السريع وانخفاض فقدان الطاقة المباشر، وذلك ضمن عبوة تركيب سطحي صغيرة جدًا.
• 1.3 أمبير، 20 فولت
♦ RDS(on) = 0.21 @ VGS = 2.7 فولت
♦ RDS(on) = 0.16 @ VGS = 4.5 فولت
• مخطط معيار الصناعة SOT−23 لحزمة التركيب السطحي باستخدام
تصميم SUPERSOT−3 الخاص لتحقيق قدرات حرارية وكهربائية فائقة
• تصميم خلية عالية الكثافة لـ RDS(on) منخفض للغاية
• مقاومة تشغيل استثنائية وقدرة قصوى على تحمل التيار المستمر
• هذا جهاز خالٍ من الرصاص
